Paměti GDDR3,2 4 GHz od společnosti Samsung

Samsung Electronics, největší světový výrobce pamětí, již pro své partnery vyrábí vzorky nejrychlejší paměti GDDR4 SDRAM pro různé účely vývoje a testování.

Jejich paměťové čipy jsou schopné pracovat až na 3,2 GHz, což je téměř dvojnásobek rychlosti kopií nalezených na dnešních grafických kartách. Čipy GDDR4 od jihokorejského výrobce mají přístupovou dobu 0,6 ns, jsou vyráběny s šířkou pásma 80 nm a na jeden čip mohou ukládat 512 megabitů dat. Výrobce na podzim 2005 představil 256 Mb GDDR4, které zase „pouze“ fungovaly na 2,5 GHz. Vlastnosti napětí a topení zatím nebyly hlášeny. Přechod na GDDR4 podporuje i fakt, že je přímým potomkem GDDR3, takže jej výrobci nemohou do svých produktů začlenit s velkou změnou a penězi. Očekává se, že paměti GDDR4 používané v krátkých vzdálenostech a spojeních bod-bod najdeme na nejvýkonnějších grafických kartách blízké budoucnosti. Sériová výroba pamětí má být zahájena ve druhém čtvrtletí 2006.

Podle průzkumů trhu by prodej čipů s grafickou pamětí mohl letos dosáhnout 2,7 miliardy dolarů, což je o 10% více než 2,5 miliardy v loňském roce.

Konkurent Hynix oznámil své paměti GDDR4 již v prosinci a plánuje zahájit sériovou výrobu v prvním čtvrtletí 2006, dříve než Samsung Electronics.

Paměti Samsung Electronics GDDR4

GDDR4 společnosti Hynix