80nm paměť od společnosti Samsung
Samsung představil 80 Gb DRAM čip s 1 nanometrovou technologií.
Technologie výroby na šířku pruhu 80 nanometrů umožňuje snížit výrobní náklady na paměťové čipy. V důsledku toho může být cena 2 a 4 gigabajtových modulů DDR2, které jsou stále velmi vzácné, dále snížena. 90nm 1 Gbit čipy měří 11 × 18 mm, zatímco nová paměť Samsung má pouze 11 × 11,5 mm.
Společnost South Early plánuje do roku 2008 zvýšit tržní podíl DRAM na 37,8 miliardy USD, zatímco tržní podíl 1 Gbit čipů se za dva roky změní ze současných 8 procent na 36%.
