Hynix také vyrobil svůj vlastní modul DDR4
Jihokorejská společnost ochutnala novou generaci paměťových modulů.
A Samsung poté společnost Hynix také vyrobila svůj vlastní paměťový modul DDR4. Použité čipy tikají při efektivní hodinové rychlosti 2.400 MHz při 1,2 voltu a tyto 2 gigabitové čipy jsou vyráběny 30 nm procesem a jsou o 80% rychlejší než jejich protějšky DDR1.333 s 3 MHz. Nové moduly se vejdou do slotu SO-DIMM a mají podporu ECC a šířka pásma dosahuje 19,2 GB / s. Společnost Hynix tvrdí, že tyto moduly používají 64bitový I / O kanál a sériová výroba by mohla začít v polovině roku 2012.
