Společnost Samsung zahájila výrobu 20nm paměťových čipů DDR3

Samsung udělal obrovský krok vpřed a rozhodně získal velkou výhodu nad svými konkurenty, protože jako první zahájil sériovou výrobu flash čipů MLC NAND s 20nm výrobní technologií.

Je dobře známo, že trh s pamětí v současné době prochází menší krizí, protože přílišná tržní konkurence a klesající zájem zákazníků vyústily v nadprodukci, takže zásoby se nahromadily a výrobci jsou již nuceni prodávat své výrobky se stále nižšími zisky.

Nyní může Samsung začít vyrábět mnohem efektivněji na 20 nm, protože může získat až o 50% více čipů na povrchu křemíkové destičky, samozřejmě některé horší výnosy na začátku výroby budou pravděpodobně ještě více než kompenzovat efektivnější Výroba. Na druhou stranu je spotřeba vložek také výrazně ovlivněna změnou technologie, protože její spotřeba může být o 40% nižší. Díky tomu může být kromě aktuálních tržních trendů také extrémně atraktivní, protože hlavní trh se posunul směrem k přenosným strojům, kde je ke zvýšení provozuschopnosti potřeba nejnižší možná spotřeba a s rozvojem technologie 20 nm se dokonce mohou objevit mobilní telefony. bramborové hranolky.

Samsung novou technologii outsourcoval do nové továrny, zde proběhlo také oznámení a zde také začne výroba. Továrna nazvaná Line-16 se nachází v provincii Gyeonggi v Jižní Koreji v továrně Samsung, která se jmenuje Nano City. Obrovský komplex zabírá plochu 20 hektarů a plánuje se v něm měsíčně produkce 10000 300 kusů 4 mm oplatky. S tím se otevřela největší taková továrna. Výroba dvou gigabitových čipů začne v prvním kole, ale chtěl bych také začít vyrábět 4 gigabitové paměti do konce roku. Obchody jsou dodávány v balíčcích 8 GB, 16 GB, 32 GB a 3 GB. A zároveň musíme počítat s novějšími zelenými moduly DDRXNUMX, protože tyto průměrné DRAM také spotřebovávají méně než současné nízkoenergetické produkty.

zdroj: techpowerup